EMMI光子微漏電定位分析系統設備是集成電路失效分析中的重要分析工具，漏電定位對于失效分析者而言是必備工具。在集成電路行業中，對集成電路可靠性要求很高。芯片在工作中，微漏電現象較為普遍，微弱漏電在極端情況下往往會無限放大，造成芯片甚至整個控制系統失效，所以芯片微漏電現象是對于集成電路失效分析中極端重要的一環。
針對寬禁帶半導體（如GaN與SiC）器件失效分析，森東寶科技有限公司推出了400nm-1000nm響應波長的EMMI測試系統，能夠對GaN HEMT，GaN LEDs，SiC PDs、SiC pn junction, Si 基MOSFET以及IC芯片等芯片的微安級漏電位置進行精確定位。該系統具有小于1um的空間分辨率，能夠對極微弱的光進行成像，已經在重慶郵電大學，廣東金鑒第三方實驗室，江蘇省產業研究院，普瑞（無錫）研發中心和江南大學等科研院所推廣適用，為幾十家半導體公司提供了測試服務。
系統技術參數：
1. 最高量子效率：82%@560 nm
2. 有效分辨率：2048*2048
3. 有效面積：13.312mm*13.312 mm
4. 制冷溫度：10 oC
5. 暗電流： 0.6 electrons/pixel/s
6. 幀速率： 30 Hz
7. 波長范圍：400nm -1100 nm
8. 界面：USB 3.0
以下是測試案例：
GaN PDs
GaN LEDs
Si MOSFETs
Si FRD
Si IGBT
